Tehnologia clasică, în care într-un cip se află un singur plan (o singură folie) de siliciu, în imagine K573, un modul de memorie EEPROM

Azi. Acum. E și scump, ce-i drept, dar este aici. Să detaliez. În computerele actuale, toată treaba este făcută de circuite dispuse sub forma unei foarte subțiri folii de siliciu. Astfel, pentru a avea mai multă putere, trebuie să mărești suprafața reală a ariei de siliciu, fie adăugând un nou modul, fie făcând o rețea de computere într-o arhitectură de tip super-computer.

Cum ar veni, tranzistorii sunt dispuși în plan, ca să folosesc o expresie din geometrie iar eu, de mulți ani, aștept cu nerăbdare să apară dispunerile tridimensionale ale tranzistorilor astfel încât, cum oricum circuitele integrate nu sunt chiar subțiri, să conțină un volum, nu o arie, de tranzistori.

Hybrid Memory Cube, conectat la un microprocesor

Mă rog, încă n-am ajuns acolo, dar suntem îăntr-un loc apropiat: compana Micron a trimis mostre inginerești (engineering samples) ale unor module de memorie de tip multi-strat. Adică, în loc să avem niște planuri de memorie aflate în același plan cu microprocesorul, avem un modul de memorie format din mai multe planuri de memorie, dispuse unele peste altele, într-o structură 3D.

Practic, avem tot o structură 2D a nano-electronicii digitale, dar ocupă un volum 3D, ceea ce ne va permite să concentrăm mai multă putere de calcul în același volum. Adică unde, până acum, în volumul dat al unui modul de memorie aveam un singur plan cu o singură folie de siliciu, de-acum avem mai multe, de cincisprezece ori mai multe. În același volum.

Hybrid Memory Cube – Straturi (planuri) de siliciu

Ca și cum, de exemplu, dacă am rezolva cumva răcirea mai bine, într-un microprocesor QuadCore am putea avea, în același volum, minim șaizeci de microprocesoare.

De asta și spun că viitorul este aici, că ne pregătim să trecem de la 2D la pseudo-3D și este o mare chestie.